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元件参数资料
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参数目录39860
> FQU10N20CTU MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
型号:
FQU10N20CTU
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FQU10N20CTU PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
70
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
510pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件
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